本网讯（材料科学与工程学院代宇）“交错磁体”作为一种新型磁性状态受到广泛关注。它兼具铁磁性和反铁磁性的优点，在自旋电子学器件中展现出重要潜力。其中，碲化锰（MnTe）作为典型交错磁体材料，关于其输运特性的研究仍不充分。近日，我校材料学部磁性材料与磁性芯片研究团队在该领域取得重要突破。团队利用外延生长的（0001）取向MnTe薄膜，首次观测到明显的单向各向异性磁电阻（UAMR）效应，其电阻值随外磁场转动呈现一阶对称的角度依赖关系。研究表明，该效应仅在外加磁场超过约4 T的临界值时出现，通过场冷处理可使其信号幅值提升48%。实验进一步揭示，UAMR的相位和幅值受初始磁场方向的显著调控，并表现出明显的磁滞行为，幅度变化最大可达200%。
该工作不仅为理解交错磁体中输运特性与磁序的耦合机制提供了新视角，也为发展高鲁棒性磁传感器与非易失性存储器奠定了材料基础。相关研究成果以“Observation of Unidirectional Anisotropic Magnetoresistance in Altermagnetic MnTe (0001) Films”为题，发表于材料科学国际权威期刊《Advanced Functional Materials》（DOI: 10.1002/adfm.202526026）。材料学院博士后代宇和沈阳工业大学张晨宇博士为共同第一作者，王守国教授、杨蒙蒙教授与东北大学胡勇教授为共同通讯作者，安徽大学为第一完成单位。
图a. MnTe的结构和磁矩方向示意图。b. 器件形状和电阻率测量示意图。c. MnTe (0001) 的各向异性磁电阻数据和拟合曲线。d. 从拟合曲线中提取的UAMR信号。