本网讯（材料科学与工程学院 周乾坤）混合卤化物三维钙钛矿因发光效率高、光谱易调节的特性，被认为是广色域LED器件的理想发光材料。然而卤素离子的迁移会不断破坏发光层和传输层的结构，是影响发光器件稳定性的关键因素。为此，李士阔教授团队通过异相成核的结晶策略，利用磷酸络合剂调控钙钛矿晶粒沿[111]晶面取向生长，构建了在光场或电场下可以保持长时稳定的混合卤素CsPbI3-xBrx薄膜。模型分析和实验研究表明，所制备的LED器件在1.5 mA cm-2条件下，外部量子效率为22.8%，最大亮度为12000 cd m-2，半衰期为4080分钟，显著提升了器件的发光稳定性。该工作为发展晶面取向调控卤素离子迁移提供了启示，将有力推动稳定高效LED发光器件的快速发展。
图.卤化物钙钛矿CsPbI3-xBrx薄膜异质成核及电场驱动下的卤素离子迁移
相关工作以Hetero-nucleation Induced [111]-oriented Mixed Halide Perovskite for Stable Pure Red Light-Emitting Diodes为题在材料学科顶级期刊《先进材料》上在线发表（Advanced Materials, 2024, 2411012）。安徽大学材料科学与工程学院博士后宋永慧为论文第一作者，李士阔教授和中国科学技术大学姚宏斌教授、林岳教授为论文共同通讯作者，安徽大学材料科学与工程学院为第一通讯单位。