本网讯（材料科学与工程学院）10月10日，自旋电子学与未来信息技术国际学术研讨会在材料科学大楼A101报告厅举办。校党委常委、副校长、材料科学与工程学部主任、材料科学与工程学院院长王守国出席并致辞。美国科学院院士、德国马克斯普朗克微结构物理研究所主任Stuart Parkin教授及多名国内外专家学者参加研讨会并作学术报告。材料科学与工程学部师生代表100余人参加。
本次研讨会围绕“自旋电子学”与“未来信息技术”两大主题展开，探讨了基于拓扑纳米磁结构、二维铁磁、超导、铁电等新兴材料的未来信息技术器件表征及应用及新兴存储器领域的最新进展。
Stuart Parkin教授介绍了其课题组近期在反铁磁隧道结领域的重大突破。通过全新的转角结构，其课题组构建了全反铁磁隧道结。在扭转的双层反铁磁CrSBr二维材料体系中实现了超过700%的非易失性隧穿磁电阻（TMR）。这一概念与物理模型有望推广至众多二维磁性材料，并表明非易失性的磁存储器件可低至原子层厚度尺度。
北京量子信息科学研究院的常凯研究员介绍了利用二维铁电－顺电半导体平面异质结原位分子束外延生长技术构造的一种全新的铁电能谷隧道结。中国科学院上海微系统研究所的周夕淋研究员介绍了相变存储器材料研究的最新进展。重庆大学的李凡教授介绍了低维体系磁性的光学操控与电场操控手段，以及相关自旋电子学器件设计。安徽大学物理与光电工程学院的汤进教授介绍了磁束子这一新型拓扑纳米磁结构。中国科学院合肥物质科学研究院的刘艺舟研究员介绍了新型三维拓扑磁结构，磁霍普夫子。
研讨会上，与会嘉宾们就自旋电子学与未来信息技术这两个领域展开了深入探讨，为新型存储器的进步提供了新的思路和应用前景。