报告题目：反铁磁体系中的输运研究
主 讲 人：俞颉翔 苏州大学 教授
时 间：2024年6月26日15:30
地 点：安徽大学磬苑校区理工E楼E400
主办单位：物理与光电工程学院
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报告摘要：
近年来，反铁磁自旋电子学发展迅速，一方面反铁磁在输运、磁动力学方面有着超越铁磁的性能，另一方面得益于反铁磁体系特有的探测和调控手段。这里，我们将主要讨论反铁磁的输运性质，介绍如何利用霍尔效应探测反铁磁磁性。利用第一性原理计算以及瓦尼尔函数为基的紧束缚模型，我们发现在反铁磁半导体MnTe中，其特有的能带结构可以实现零磁场的平面霍尔效应(PHE)；之后在层状反铁磁Weyl半金属EuCd2As2和层状反铁磁拓扑绝缘体MnBi2Te4中，理论解释了实验上观测到的奇特的各向异性霍尔输运信号。而为了提高计算半金属/掺杂半导体中反常霍尔电导和自旋霍尔电导的效率和精度，我们开发了一种基于费米面路径积分的方法来计算贝里曲率，这个方法可以很好地处理当能带存在Weyl点时，局部贝里曲率过于发散的情况。以及为了量化在层状反铁磁中，不同层的反常霍尔/自旋霍尔的贡献，我们开发了一种可以实空间投影贝里曲率的方法，这可以用来量化反铁磁中由霍尔电流/自旋流产生的各类自旋矩。最后，我们还将稍微介绍磁动力学模拟中关于非绝热自旋矩系数β的一些讨论。
报告人简介：
俞颉翔，1986年11月出生，苏州大学物理科学与技术学院教授。2009年复旦大学物理学系本科毕业，2016年复旦大学博士毕业获得博士学位。2021年7月加入苏州大学物理科学与技术学院。获2022年江苏省双创博士称号，至2024年主持国家自然科学基金面上项目1项。