报告题目：基于新型P型半导体材料的薄膜晶体管和CMOS集成
报 告 人：刘奥，电子科技大学基础与前沿研究院教授、博士生导师，入选国家高层次人才计划青年项目。
时 间：2024年04月03日(周三)10:00
地 点：安徽大学磬苑校区材料科学大楼B401报告厅
主办单位：材料科学与工程学部
报告摘要：开发高性能、稳定的新型P型半导体和器件是实现低成本、大面积互补金属氧化物半导体（CMOS）技术的关键。然而，经过数十年的领域努力，实现高性能P沟道薄膜晶体管（TFT）仍然面临着巨大的技术挑战。本次报告将对这一研究领域进行全面概述，并汇报我们最近在制备高性能P沟道TFT方面取得的进展，包括基于不同半导体（如金属氧化物、金属卤化物和元素化合物）的研究成果。随后，将介绍我们在首个高性能、稳定的非晶P沟道TFT方面的最新工作，以及全氧化物CMOS逻辑电路的研究突破。这一系列成果将为未来信息显示和电子器件领域的发展提供重要的研究基础。
刘奥简介：刘奥，电子科技大学基础与前沿研究院教授、博士生导师，入选国家高层次人才计划青年项目。博士毕业于韩国浦项科技大学，随后加入美国西北大学从事博士后研究。在新型半导体材料(如氧化物、钙钛矿、卤化物等)开发和薄膜晶体管方向做出了系列开拓、原创性成果，如近日在国际上首创实现了高性能非晶P型半导体和逻辑器件的研发。以第一/通讯作者（含共同）在Nature、Science、 Nat.Electron.、Nat.Commun.、Adv.Mater.等期刊发表论文60余篇，封面论文9篇；论文被引用4800余次，h因子40。多次被Nat.Electron.、Nat.Portfolio、ACS Energy Lett.、Tech Xplore等学术期刊和媒体亮点报道。授权中、韩发明专利10余项。曾获得Gordon Research Conferences“最佳论文奖”（2022年，亚太地区唯一获奖者）、中国政府优秀自费留学生奖（2022年）、韩国信息显示协会“青年领袖奖”（2022年）等多项重要奖项。
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