报告题目：HfO2基铁电信息存储材料和忆阻突触原型器件
报 告 人：殷月伟，中国科学技术大学物理系教授，国家杰出青年基金获得者。
时 间：2024年03月18日(周一)16:00
地 点：安徽大学磬苑校区材料科学大楼A101报告厅
主办单位：材料科学与工程学部
报告摘要：快速、高效、智能化信息存储和处理是信息技术变革的关键，对新型信息材料和器件提出了重大需求。铁电隧道结可利用铁电极化非易失、准连续地调控器件电阻状态，在原理上具有速度快、功耗低、非易失、高稳定等优势，是下一代信息存储和存算一体器件的优秀解决方案之一。本报告将简要汇报通过调控界面能带结构，设计构建硅基兼容的高性能HfO2基铁电隧道结忆阻器的研究。其可实现亚纳秒超快、飞焦级低能耗的多态非易失信息存储，获得高线性、高稳定的多电导态间的连续调控，从而用于仿真构建高图像识别准确率的存算一体神经网络计算系统。这些结果表明，HfO2基铁电隧道结有望用于构建高性能非易失性存储器和人工突触器件。
殷月伟简介：殷月伟，中国科学技术大学物理系教授，国家杰出青年基金获得者。2007年本科毕业于中国科学技术大学物理系，2012年于中国科学技术大学物理系获得理学博士学位。曾赴美国宾州州立大学、内布拉斯加大学林肯分校从事博士后研究。主要从事铁电、介电、多铁材料及相关信息器件和电子元件原型的研究，共发表第一/通讯作者论文65篇，包括Nature Mater.、Nature Commun.、Adv. Mater.等。
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