报告题目：面向嵌入式存储的高可靠性相变存储器
报 告 人：周夕淋，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员，博士生导师。
时 间：2023年09月11日(周一)16:00
地 点：安徽大学磬苑校区材料科学大楼B401报告厅
主办单位：材料科学与工程学部
报告摘要：信息存储技术是集成电路产业的核心，发展半导体存储技术是实现信息化的前提和当前国家实现产业升级的重大战略需求。以相变存储器（PCM）技术为代表，基于新原理、新材料的下一代存储技术与CMOS集成电路工艺兼容，具有优异的物理微缩特性和三维集成能力。PCM存储机理明确、工艺兼容性强、商业化技术路线清晰、性能提升潜力大，该技术在5纳米工艺节点前不存在物理限制，成为学术和工业界研究的重点。本报告主要介绍基于国内40纳米12英寸CMOS工艺产线的相变存储器研究成果，包括新型相变存储专用全流程工艺研发平台，高性能、高可靠新型存储芯片规模化全流程集成工艺研究及针对4Mb相变存储器提出的混合擦写脉冲模式，将芯片疲劳寿命提升至百亿次（1E11）以上，实现工艺革新和良率提升的快速迭代能力。
周夕淋简介：周夕淋，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员，博士生导师。2014年7月获得中国科学院大学博士学位。2014至2020年先后在新加坡科技设计大学、德国马普学会微结构物理研究所从事新兴信息存储技术的前沿研究工作。2020年9月回国加入集成电路材料全国重点实验室。主要从事下一代半导体存储技术的材料、器件与芯片纳米集成工艺研究。发表学术论文60余篇，引用超过2000次，授权中、美发明专利10项，作为负责人承担国家重点研发计划课题、国家自然科学基金、中国科学院、上海市科委等资助的多个研究项目。入选国家海外高层次人才青年项目、上海市海外高层次人才青年项目、中科院“BR”计划B类和上海市浦江（A类）人才计划；荣获中国科学院杰出科技成就奖（主要完成人）、全国颠覆性技术创新大赛总决赛优胜奖和上海市优秀博士论文等荣誉。
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