报告题目：GaN功率器件动态特性研究：从平面型到垂直型
报 告 人：杨树（浙江大学研究员/博导）
时 间：10月9日下午3点
地 点： 理工A楼208
主办单位： 电气工程与自动化学院
欢迎各位老师、同学届时前往！
专家简介：杨树，浙江大学研究员，博士生导师，国家级青年海外高层次人才，电力电子技术研究所副所长。于复旦大学获学士学位、香港科技大学获博士学位；曾在香港科技大学担任客座助理教授，剑桥大学从事博士后研究。长期专注于宽禁带半导体氮化镓（GaN）功率器件设计、微纳制造及可靠性研究。自主研制出1kV/1.1mΩ·cm2单极型和1.8kV/0.5mΩ·cm2双极型垂直GaN器件，功率品质因数国际较为领先；实现了无动态电阻退化的新型垂直GaN器件，克服了长期困扰传统平面型GaN器件的动态性能退化难题；提出了针对GaN器件的新型界面氮化方法，实现了GaN器件栅极可靠性的提升。发表SCI/EI论文80篇，其中以第一/通讯作者在IEEE EDL、IEEE T-ED等发表SCI论文26篇，在功率器件领域国际顶级会议IEEE ISPSD、IEEE IEDM发表论文11篇，7次获国际产业界杂志专题报道，论文总被引3100余次，4篇ESI高被引论文。
2018年获IEEE ISPSD Charitat Young Researcher Award，是该奖项创立30年来首位中国大陆获奖者；2020年获得中国电源学会优秀青年奖、中达青年学者奖；曾获首届“第三代半导体卓越创新青年”、香港科技大学PhD Research Excellence Award。担任中国电源学会女科学家工作委员会副主任和元器件专委会委员，IEEE OJ-PEL编委，IEEE JESTPE客座编委，IEEE ISPSD技术委员会委员。
报告简介：宽禁带半导体氮化镓（GaN）功率器件能够在电力电子应用中提供高频率、小尺寸、低功耗、高能效等理想性能，在智能电网、大数据中心、新能源汽车、激光雷达、航空航天等领域具有广阔的应用前景。GaN功率器件主要分为两大技术路线：1）基于非本征衬底的平面型GaN-on-Si器件，2）基于单晶GaN本征衬底的垂直型GaN-on-GaN器件。当前平面型GaN-on-Si器件在GaN技术中占据主导地位，但仍面临电压和功率等级不高、陷阱效应导致的动态特性退化等问题。得益于品质更高的同质外延材料、更适于高压大电流的器件结构，垂直型GaN-on-GaN器件可解决平面型GaN-on-Si器件的问题，在耐压/功率等级、高频特性和动态特性等方面实现突破。在本次报告将探讨：1）平面型GaN-on-Si器件在高速软/硬开关条件下的动态特性及其机理；2）可突破传统SBD反向耐压与正向导通性能相互制约关系的垂直型GaN-on-GaN隧穿结二极管；3）可同时实现正向电导调制和零反向恢复的垂直型GaN-on-GaN PiN二极管；4）垂直型GaN-on-GaN功率器件“无电流崩塌”的优异动态性能。
电气工程与自动化学院
2021年10月8日