报告题目：先进电子显微成像和谱学手段研究层状二维材料的缺陷物理、晶界结构调控和生长机理
报 告 人：金传洪 教授(浙江大学，电子显微镜中心)
报告时间： 2018年10月18日（星期四）下午15：30
报告地点： 磬苑校区理工E楼E400室
主办单位： 物理与材料科学学院
欢迎各位老师、同学届时前往！
科学技术处
2018年10月18日
报告摘要：
以原子层厚二硫化钼(MoS2)为代表的过渡金属硫族化合物材料是一类新兴的二维材料，由于其独特的原子结构、可调组分和相结构等特点，展现出丰富的电子结构以及随之而来的电学、光电、催化等特性，同时也面临着多种挑战，如高质量材料的可控制备、缺陷调控等，这其中对于缺陷的表征和分析、微观生长过程、各项异性电子结构等，都是该领域的重要科学问题。本报告中，我们将介绍利用透射电镜，尝试对上述问题进行初步探讨，包括：MoS2材料中的缺陷物理；MoS2材料的微观生长机理、六方氮化硼的晶界微结构等。