报告题目：垂直磁性多层膜中自旋相关输运性质及拓扑磁性的研究
报 告 人：王守国教授（北京科技大学材料科学与工程学院）
报告时间：2018年9月6日16:00--18:00
报告地点：安徽大学磬苑校区博北D101水上报告厅
报告摘要：以调控电子自旋本征属性为基础的自旋电子学，是自1988年发现巨磁电阻效应（GMR）以来三十年来凝聚态物理、材料科学和信息科学的研究热点之一，是磁信息技术的基石。自旋电子学的研究主要包括新材料设计与制备、物性研究、以及器件开发等。随着隧穿磁电阻效应（TMR）、自旋转移矩效应（STT）、自旋塞贝克效应（Spin Seebeck）、磁性斯格明子（Skyrmions）等新现象、新效应和新结构的发现，自旋电子学材料与器件获得了更加广泛的应用（例如计算机硬盘读写头、磁性随机存储器）。但随着超高磁信息存储技术的发展，自旋电子学也面临着材料、物理、和器件原理等方面的诸多挑战。
报告人首先介绍自旋电子学最新进展以及所面临的挑战，主要包括超高存储密度、超高热稳定性以及如何突破二组态存储的技术瓶颈；随后重点介绍本课题组在Fe/MgO/Fe面内磁性隧道结、L10-FePt/MgO/FePt垂直磁性隧道结和[Co/Pt]n/MgO/[Co/Pt]n霍尔天平等体系的研究进展；最后介绍深紫外激光光发射电子显微镜与超高真空分子束外延联合系统（PEEM-MBE）的研制以及磁性斯格明子方面研究的最新进展。
主办单位：安徽大学物质科学与信息技术研究院
安徽大学物理与材料科学学院
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科学技术处
2018年9月5日