本网讯（科学技术处）日前，中国科学技术大学陈仙辉院士应邀作题为“场效应调控超导和相变”的学术报告。这是90周年校庆院士报告会之一，报告会由我校物理与材料科学学院院长田明亮主持。
陈仙辉在我校作题为“场效应调控超导和相变”的学术报告
陈仙辉从电场通过控制载流子浓度而调控物理特性说起，认为这种通过静电荷掺入的调控极大地促进了半导体的工业和研究发展。然而，传统金属-绝缘体-半导体场效应管仅能维持很有限的载流子浓度，不能够满足进一步需求，特别是在探索高温超导体方面。所以，各国研究者都在寻找新的栅极介电层的场效应管技术。
陈仙辉介绍了自己的团队在超导温度低于10K的FeSe薄片中通过双电荷层场效应管技术调控载流子得到超导温度大约为40K的高温超导情况。基于固态离子导体场效应管技术，该团队先后在FeSe薄片中得到最佳超导温度46.6K，观察到了超导-绝缘态的相变；并且通过电场驱动的Li插入，得到两种新的LixFe2Se2亚稳结构，观察到LixFeSe系统的离散超导相图，又利用固态离子导体场效应管研究了FeSe0.5Te0.5和Bi2Se3的相图。此外，他还介绍了在固态Li离子导体作为栅极介电层的场效应管中，在电场驱动下，Li能够插入或抽出晶体结构，产生许多奇特的(Li,Fe)OHFeSe和MoS2的亚稳结构，导致发生一系列相变，这些相变是可逆的。
陈仙辉，现为中国科学技术大学教授、博士生导师、中国科学院院士、中科院强耦合量子材料物理重点实验室主任。主要从事非常规高温超导体和新型量子功能材料的探索及其物理性的研究。