报告题目： 几种典型拓扑电子材料高压调控研究
报 告 人： 杨昭荣研究员（中国科学院强磁场科学中心）
报告时间： 2016年12月12日（星期三）上午9: 30
报告地点： 安徽大学磬苑校区科技创新楼E楼E400室
主办单位： 物理与材料科学学院
欢迎各位老师、同学届时前往！
科学技术处
2016年12月7日
报告人简介：
杨昭荣，中国科学院强磁场科学中心研究员、博士生导师。1992年毕业于南京大学物理系获理学学士学位，2002年于中国科技大学获理学博士学位。2002年至2004年在比利时K. U. Leuven大学从事博士后研究工作。2004年获中科院首届优秀博士学位论文奖，2007年以第二完成人获安徽省科学技术奖一等奖，2009年以第三完成人获国家自然科学二等奖，2011年获安徽青年科技奖。长期从事关联电子材料量子序调控研究，本人为第一或通讯作者已发表SCI论文五十余篇， 包括Nature Mater. 1篇、Nature Commun. 1篇、PNAS 1篇、Phys. Rev. Lett. 1篇、Sci. Rep. 1篇、New Journal of Physics 1篇、Appl. Phys. Lett. 5篇、Phys. Rev. B 8篇。
报告摘要：
伴随着拓扑绝缘体的发现，材料的拓扑特性以及新奇量子效应在过去的十多年里受到了广泛的关注和研究，拓扑电子材料家族也从最初的拓扑绝缘体逐渐扩展到狄拉克半金属、外尔半金属以及拓扑超导体等。压力作为一个基本的热力学参量，是一个干净的调控手段，它可以有效地调节晶格和电子态，特别是材料的量子态。我们通过高压下的电输运、磁化率、高压同步辐射X射线衍射实验和拉曼光谱并结合理论计算对几类典型的拓扑电子材料进行了研究，探寻了材料的拓扑特性在压力下的演化行为：在狄拉克半金属ZrTe5中发现了压力诱导的超导电性；在外尔半金属材料TaAs中发现了压力诱导的等能外尔费米子；在第二类外尔半金属WTe2中，研究发现伴随着磁电阻效应的抑制，压力诱导超导电性，并证实了WTe2中存在压力诱导的结构相变；在超导的拓扑绝缘体Sr0.065Bi2Se3中发现了压力诱导超导电性的再入现象。